نیترید گالیم پیوند شده

ingan = نیترید ایندیم گالیم به دنبال تعریف کلی ingan هستید ؟ ingan به معنای نیترید ایندیم گالیم است. ما مفتخر به لیست مخفف ingan در بزرگترین پایگاه داده اختصارات و کلمات اختصاری هستیم. تصویر زیر یکی از ...

فرمول شیمیایی — به زبان ساده. فرمول شیمیایی روشی برای بیان نسبت‌های اتمی یک ماده شیمیایی یا مولکول خاص است. در فرمول شیمیایی از نماد عناصر ، تعداد و دیگر نمادها همچون پرانتز ، خط فاصله، کروشه ...

ساختار باتری از نیمه هادی گالیم نیترید تشکیل شده است که بر روی سطح آن نانوسیم‌هایی ایجاد گردیده و روی آن با گرافن پوشانده شده است. برای تابش پرتو بتا نیز از نیکل63 با فعالیت 1میلی کوری استفاده شده است. در دمای 300 کلوین ...

نانوسیم نیترید گالیم دارای کاربردهای متعددی است. یک گروه تحقیقاتی دریافته است که این نانوسیم‌ها می‌توانند در سه بعد خواص پیزوالکتریک داشته باشند این درحالی است که خود نانوسیم‌ها یک بعدی هستند.

بررسی 'نیترید گالیمترجمه‌ها به سوئدی. به نمونه‌هایی از نیترید گالیم نگاه انداخته و با ترجمه در جملات، گوش دادن به تلفظ و تمرین گرامر، زبان را بیاموزید.

شرکت پلسی سمیکانداکتورز با استفاده از فناوری لایه‌نشانی اتمی موسوم به mocvd موفق به ساخت ledهایی شده که نور سبز را با کارایی بالا تولید می‌کنند.

نانوسیم‌های تولید شده، معایب موجود در بلورهای گالیم نیترید را ندارند. در این روش از کاتالیزور استفاده نشده است و به‌همین دلیل فرآیندی زمان‌بر است به‌طوری‌که رشد نانوسیم به طول 10 میکرومتر، 2 تا 3 روز به طول می‌انجامد ...

نیترید گالیم ماده ی مرکب دوتایی نیمه رسانا برای ساخت دیودهای نور افشان با نور آبی و محدوده ی طول موج 450 تا 500 نانومتر استفاده می شود : gallium nitride

در این صفحه تعداد 5899 مقاله تخصصی درباره خوردگی که در نشریه های معتبر علمی و پایگاه ساینس دایرکت (Science Direct) منتشر شده، نمایش داده شده است. برخی از این مقالات، پیش تر به زبان فارسی ترجمه شده اند ...

مقدار انرژی تلف شده در فرآیند عبور جریان الکتریکی، به شکل گرما ظاهر می‌شود. این گرما علت اصلی گرم شدن رساناها و به ویژه مقاومت‌هاست. همچنین مقاومت رساناها متناسب با دمای محیط افزایش می‌یابد، زیرا هدایت گرمایی بالایی �

بنابراین نانولوله گالیم نیترید آرمچیر (4,4) خالص و عامل دار شده با اتم پلاتین گزینه مناسبی برای شناسایی مولکول آلاینده نیترآمید است.

آزمایش های انجام شده حاکی از آن است که ترانزیستورهای HEMT ساخته شده از AlGaN و AlInN میتوانند در دمای 1000 درجه سانتی گراد به درستی کار کنند، این دما بسیار بیش از آنچه است که در مورد ترانزیستورهای سیلیکونی داریم. تا به امروز تران�

به گزارش خبرگزاری Digitimes، شرکت Navitas Semiconductor قرار است در سال جاری میلادی از اپل سفارش تولید شارژر مبتنی بر فناوری نیترید گالیم (GaN) را بگیرد. در این گزارش آمده که شرکت تایوانی TSMC نیز در فرآیند تولید نقش خواهد داشت و چیپ‌های ...

نانوتیوب های نیترید بور که با استفاده از روش بال میل آنیلینگ تولید شده اند، تنها در دماهای بالاتر از اکسید می شوند. برخی BNNT ها که دارای ساختارهای نانو کریستالی کامل هستند، می توانند تا دمای ...

نیترید گالیم (به انگلیسی: Gallium nitride) با فرمول شیمیایی GaN یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب کم ۱۱۷۵۵۹ است؛ که جرم مولی آن g/mol می باشد. شکل ظاهری این ترکیب، پودر زرد است. گالیوم نیترید (GaN) یک ترکیب دوتایی نیمه هادی گروه IIIV با ...

بررسی 'نیترید گالیمترجمه‌ها به انگلیسی. به نمونه‌هایی از نیترید گالیم نگاه انداخته و با ترجمه در جملات، گوش دادن به تلفظ و تمرین گرامر، زبان را بیاموزید.

گرافن با گالیم نیترید اتصال شاتکی میدهد و میدان الکتریکی داخلی برای جداسازی الکترون و حفره در ناحیه تخلیه را فراهم می کند. شبیه سازی در محیط اطلس نرم افزار سیلواکو و در دماهای مختلف انجام شده است. برای تابش پرتو بتا از ...